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半導(dǎo)體元件自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)

]資料

產(chǎn)品名稱(chēng): 半導(dǎo)體元件自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)
產(chǎn)品型號(hào): IST 8900
產(chǎn)品展商: 艾仕歐
產(chǎn)品文檔: 無(wú)相關(guān)文檔

IST 8900半導(dǎo)體元件自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)真正一臺(tái)完整而具有**“性?xún)r(jià)比”的半導(dǎo)體元件自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)，能測(cè)試從毫瓦(mW)到千瓦(kW)級(jí)全功率系統(tǒng)的多種半導(dǎo)體元件！

半導(dǎo)體元件自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)

的詳細(xì)介紹

 

 

泄漏電流測(cè)量檔位 Leakage Current Measurement Range
測(cè)試參數(shù) Parameter	電流檔位 Current Range		分辨率 Resolution			精度 Accuracy		測(cè)量條件 Test Condition
Iceo/s/v、Icbo、 Iebo、Idss/v、 Igsr/f、Idrm、 Irrm、Igko、 Igss、Ir、 Ic(off)	0 - 400 nA		0.1 nA			± 3%		0 - 2.5 KV
	0 - 4 μA		1 nA			± 1%		0 - 2.5 KV
	0 - 40 μA		10 nA			± 1%		0 - 2.5 KV
	0 - 400 μA		0.1 nA			± 1%		0 - 2.5 KV
	0 - 4 mA		1 μA			± 1%		0 - 2.5 KV
	0 - 40 mA		10 μA			± 1%		0 - 2.0 KV
	0 - 400 mA		0.1 mA			± 1%		0 - 1 KV
崩潰電壓檔位 Breakdown  Voltage  Range
測(cè)試參數(shù) Parameter	電壓文件位 Voltage Range			分辨率 Resolution			精度 Accuracy			測(cè)量條件 Test Condition
BVceo/s/v、BVcbo、Vebo、BVdss、BVr、BVdrm、BVrrm、BVgss、BVz	0 - 30 V			0.05 V			± 1%			0 - 5 A
	30 - 60 V			0.05 V			± 1%			0 - 2 A
	60 - 2500 V			0.3 V			± 2%			0 - 40 mA
導(dǎo)通電流測(cè)量檔位  On-State Current Range
測(cè)試參數(shù) Parameter	電流檔位 Current Range	分辨率 Resolution			精度 Accuracy				測(cè)量條件 Test Condition
hFE、Vce(sat)、Vbe(on)、Vbe(sat)、Vds(on)、 Ids、Vds、Rds(on)、Ic(on)、Vf、If、Vtm、± Vo、± Ipk、± Isc、Vbo、Ibo	0 - 20 mA	5 μA			±13%				0 - 40 V
	0 - 200 mA	50 μA			± 1%				0 - 40 V
	0 -2 A	0.5 mA			± 1%				0 - 40 V
	0 - 25 A	6 mA			± 1%				0 - 30 V
	0-50 A	12mA			± 1%				0 - 20 V
觸發(fā)電流檔位  Trigger  Current Range
測(cè)試參數(shù) Parameter	電流檔位 Current Range	分辨率 Resolution				精度 Accuracy			測(cè)量條件 Test Condition
hFE、Vgs(th)、Vbe(on)、Vgs(on)、Vge(th)、Vge(on)、Igt、Vgt、IL、Ih、Ic(on)、Igt 1/2/3/4、Vgt 1/2/3/4	0 - 100 μA	20 nA				±1%			0 - 20 V
	0 - 1 mA	0.2 μA				± 1%			0 - 20 V
	0 -10 mA	2 μA				± 1%			0 - 20 V
	0 - 100 mA	20 μA				± 1%			0 - 20 V
	0 - 1 A	0.2 mA				± 1%			0 - 20 V
	0 - 20 A	4 mA				± 1%			0 - 20 V

 
 

觸發(fā)電壓文件位Trigger Voltage Range
測(cè)試參數(shù) Parameter		電壓文件位 Voltage Range		分辨率 Resolution		精度 Accuracy
Vbe(on),Vbe(sat),Vge(on), Vgs(on),  Vgt		0 - 20 V		4 mV		± 1%
開(kāi)關(guān)時(shí)間  Switching Time
測(cè)試參數(shù) Parameter	電壓文件位 Voltage Range		分辨率 Resolution		精度 Accuracy
ton、toff	0 - 1095 ns 連續(xù)調(diào)整		5 ns		± 1%

 

機(jī)身規(guī)格
儀器	體積  高x深X寬	重量
主機(jī)	11.43cm x43.69cm x41.91cm	7.7 kg
M2400A	31.75cm x44.45cm x53.34cm	75 kg
M4800A	49.53cm x44.45cm x53.34cm	120 kg
10kV電壓模塊	12.7cm x 27.94cm x30.48cm	5.5 kg

標(biāo)準(zhǔn)配件：
● AC電源線(xiàn)
● 操作手冊(cè)
● 二極管軸心引腳測(cè)試治具
● 測(cè)試治具，適用于TO-220、202、237、218、92
● 測(cè)試治具，適用于TO-247、247 super
● 測(cè)試治具，適用于SMD封裝
選購(gòu)配件：
● 通用測(cè)試夾治具(短測(cè)試線(xiàn))
● 通用測(cè)試夾治具(長(zhǎng)測(cè)試線(xiàn))
● 測(cè)試插座轉(zhuǎn)接器，適用于單/雙光耦合裝置
● 測(cè)試治具，適用于TO-3、66、204
● DB-25公頭/公頭接口控制導(dǎo)線(xiàn)，適用于連接外部模
塊機(jī)箱
● 超彈性硅膠大功率測(cè)試線(xiàn)
● 夾式測(cè)試治具，適用于150mm直徑圓盤(pán)封裝
IST 8900半導(dǎo)體元件自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)真正一臺(tái)完整而具有**“性?xún)r(jià)比”的半導(dǎo)體元件自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)，能測(cè)試從毫瓦(mW)到千瓦(kW)級(jí)全功率系統(tǒng)的多種半導(dǎo)體元件！

特點(diǎn)：
☆ 可檢測(cè)12種半導(dǎo)體元件的參數(shù)多達(dá)135個(gè)；
☆ 可單機(jī)獨(dú)立操作，測(cè)試范圍達(dá)2500V及50A；
☆ 具有自我校正及自我測(cè)試診斷之功能；
☆ 外接大電流機(jī)箱或高壓裝置，檢測(cè)范圍可擴(kuò)展至4800A及10KV；
☆ 具有USB接口，可外接PC、打印機(jī)、數(shù)據(jù)記錄器；
☆ 測(cè)試程序可儲(chǔ)存及重復(fù)使用；
☆ 錯(cuò)誤或損壞的元件，在未進(jìn)入?yún)?shù)測(cè)試前，便可被自動(dòng)篩除；
☆ 提供全自動(dòng)好/壞判別或參數(shù)上的測(cè)量；
☆ 提供Windows PC Curve Tracer特性曲線(xiàn)軟件（選購(gòu)）；
☆ 具有機(jī)械手接口，可供大量生產(chǎn)測(cè)試；
☆ 任何管腳錯(cuò)誤的連接，均可在啟動(dòng)時(shí)，**快速地檢測(cè)到，且自動(dòng)停止測(cè)試動(dòng)作；
☆ 測(cè)試程序的產(chǎn)生，采用填充式的引導(dǎo)方式；
☆ 測(cè)試光耦輸出端為三極管或交直流可控硅的元件；
☆80μs~300μs脈沖測(cè)試間隔，可防止元件過(guò)熱造成的數(shù)據(jù)漂移或損毀。
☆ 采用自動(dòng)校準(zhǔn)軟件技術(shù)，可排除連接插件接觸面、電路板上的線(xiàn)路或繼電器接點(diǎn)上細(xì)微的壓降問(wèn)題，以避免使用昂貴而麻煩的KELVIN插座，保證MOSFET的Rds(on)精度可達(dá)±1mΩ (±0.001Ω)。

元件類(lèi)型	漏電流	崩潰電壓	導(dǎo)通參數(shù)	放大倍率	觸發(fā)參數(shù)	閂扣參數(shù)	保持參數(shù)	開(kāi)關(guān)參數(shù)
Bipolar  Transistor	Iceo、Ices、Icev、Icbo、Iebo	BVceo、BVces  BVcev、BVcbo  BVebo	Vce(sat)  Vbe(sat)	hFE	Vbe(on)			ton  toff
MOSFET  Transistor	Idss、Igsr、Igsf、Idsv	BVdss	Vds(on)、Ids(on)  Rds(on)、Vsd	gFS	Vgs(th)  Vgs(on)			ton  toff
IGBT	Ices、Igsr、Igsf	BVces	Vce(sat)、  Ic(on)、Vf	gFS	Vge(th)  Vge(on)			ton  toff
TRIAC	Idrm、Irrm	BVrrm、BVdrm	Vtm+、Vtm-		Iga 1/2/3/4  Vga 1/2/3/4		Ih+、Ih-
SCR	Idrm、Irrm、Igko	BVdrm、BVrrm  BVgko	Vtm		Igt、Vgt	IL	Ih
GTO	Idrm、Irrm、Igrm		Vtm		Igt、Vgt	IL	Ih
DIODE	Ir	BVr	Vf、If
Zener Diode	Ir	BVz、BVr	Vf
J-FET	Igss	BVgss	Idss、Rds(on)  Vds(on)	gFS		Vgs(p)	Id(p)
Regulator			+/-Vo、+/-Ipk  +/-Isc			+/-dV	+/-0r、+/-Ir
Optoisolator	Irrm、Ir、Iceo  Icbo、Iebo  Ic(off)、Idrm	BVceo、BVcbo  BVebo	Vf、Ic(on)、  Vce(sat)、Vtm	CTR、hFE	Igt		Ih
VTS	Ir	BVr	Vbo、bo、dVbo

大功率半導(dǎo)體元件的測(cè)試
當(dāng)功率模塊老化時(shí)，其工作效能必定降低，一個(gè)應(yīng)用在大功率開(kāi)關(guān)上的功率元件，在其使用期限內(nèi)，如能定期維護(hù)測(cè)
試，可確保其使用的*佳狀態(tài)，防止故障發(fā)生。
IST 8900半導(dǎo)體元件全自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)，可以仿真元件在真正工作狀態(tài)下的電流及電壓，并測(cè)量重要參數(shù)的數(shù)據(jù)，再與
原出廠(chǎng)指標(biāo)比較，由此來(lái)判定元件的好壞或退化的百分比。
導(dǎo)通參數(shù)測(cè)試如：Vce(sat)、Vds(on)、Rds(on)、Vf及Vtm等，可由選購(gòu)?fù)獠侩娏髂KM2400與M4800，將IST 8900的大功率測(cè)試電流擴(kuò)大至數(shù)千安培。
每個(gè)電流模塊，都具有獨(dú)立的供電系統(tǒng)，以便在測(cè)試時(shí)，提供內(nèi)部電路及電池組充電之用；IST 8900可通過(guò)一個(gè)DB-25接口，連續(xù)控制電流量0~2400A或0~4800A。
可選購(gòu)?fù)獠扛邏耗K，執(zhí)行關(guān)閉狀態(tài)參數(shù)測(cè)試如：各項(xiàng)崩潰電壓與漏電流測(cè)量達(dá)10KV。
 ????

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